Жорес Иванович Алфёров (15 марта 1930 г. — 1 марта 2019 г.) — выдающийся отечественный учёный, чьи работы по физике полупроводниковых структур получили всемирное признание, организатор науки, академик АН СССР, лауреат Нобелевской премии по физике 2000 года за разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых в высокочастотных схемах и оптоэлектронике.
Биография
Родился в Витебске (Белорусская ССР), был вторым ребёнком в семье Ивана Карповича Алфёрова (1894-1990), участника Первой мировой войны, члена РСДРП(б) с сентября 1917 г., делегата Второго съезда Советов, и Анны Владимировны Алфёровой, в девичестве Розенблюм (1900-1982).
Старший брат Жореса, Маркс Иванович Алфёров (1924 г.р.), будучи студентом энергетического факультета Уральского индустриального института осенью 1941 года ушёл добровольцем на фронт, участвовал в обороне Сталинграда, был награждён медалью «За отвагу» и орденом Красной Звезды, погиб 15 февраля 1944 г. в ходе Корсунь-Шевченковской операции.
По примеру старшего брата Жорес Иванович после окончания средней школы №42 г. Минска в 1947 г. как золотой медалист поступил на энергетический факультет Белорусского политехнического института. В 1948 г. семья Алфёровых переехала в Ленинград, по новому месту работы отца, и Жорес перевёлся на факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института, который закончил в 1952 году, получив диплом с отличием по специальности «вакуумная техника».
По распределению был направлен в Ленинградский физико-технический институт АН СССР, где работал под руководством Владимира Тучкевича. За участие в разработке компактных полупроводниковых приборов для первой советской атомной подводной лодки «Ленинский комсомол» в 1959 г. был награждён орденом «Знак Почёта». В 1961 г. защитил кандидатскую диссертацию по закрытой тематике, связанной с созданием мощных германиевых и кремниевых выпрямителей. В 1963 г. получил (совместно с Р.Ф. Казариновым) авторское свидетельство СССР на изобретение «Полупроводниковый лазер с электрической накачкой».
В 1966 г. сформулировал общие принципы управления электронными и световыми потоками в гетероструктураx (электронное и оптическое ограничения), которые стали теоретической основой для разработки всех полупроводниковых технологий: от компьютеров до специальных лазерных установок и солнечных батарей. В 1970 г. защитил докторскую диссертацию на тему «Гетеропереходы в полупроводниках», на основе которой был создан первый в мире полупроводниковый лазер на гетеропаре галлий арсенид — алюминий-галлий арсенид (GaAs — AlGaAs) .
В 1971 г. за разработку гетеролазера получил медаль Стюарта Баллантайна Франклиновского института США, в 1972 г. — Ленинскую премию «за фундаментальные исследования гетеропереходов в полупроводниках и создание новых приборов на их основе», а также был избран членом-корреспондентом АН СССР. С 1979 года — академик АН СССР, в 1987-2003 гг. — директор Физико-технический института имени А.Ф. Иоффе, один из создателей в 1983 году Ленинградского научного центра (ЛНЦ АН СССР), ныне Санкт-Петербургский научный центр РАН (СПбНЦ РАН), который возглавлял с 1989 г. вплоть до своей кончины. В 1991-2017 гг. — вице-президент АН СССР/РАН, . В 2002 году создал Санкт-Петербургский Академический физико-технологический университет РАН (АФТУ РАН), научно-образовательный центр нанотехнологий, которому в настоящее время присвоено имя Ж.И. Алфёрова, и бессменно руководил его работой. В 2010-2019 гг. — научный руководитель инновационного центра в Сколково.
Почётный член многих российских и иностранных академий, в том числе Академии наук США и Национальной инженерной академии наук США, Академии наук Китая, почётный доктор более 60 университетов более чем 40 стран мира.
С конца 1980-х годов вёл активную общественно-политическую деятельность, выступал с народно-патриотических позиций. В 1989-1991 гг. был народным депутатом Верховного Совета СССР от АН СССР, в 1995-2019 гг. — депутатом Госдумы РФ (с 1999 года — от фракции КПРФ).
Полный кавалер ордена «За заслуги перед Отечеством» (1999, 2000, 2005), награждён орденами Трудового Красного Знамени (1975), Октябрьской Революции (1980) Ленина (1986), Александра Невского (2015).
Лауреат Государственной премии СССР (1984) — «за разработку изопериодических гетероструктур на основе четверных твёрдых растворов полупроводниковых соединений A3B5» и Государственной премии Российской Федерации (2001) — «за цикл работ «Фундаментальные исследования процессов формирования и свойств гетероструктур с квантовыми точками и создание лазеров на их основе».
Скончался на 89-м году жизни от острой сердечно-лёгочной недостаточности. Похоронен на Комаровском кладбище Санкт-Петербурга.
Библиография
- Физика и жизнь. — СПб.: Наука, 2001. — 288 с.
- Власть без мозгов. Кому мешают академики. — М.: Алгоритм, 2013. — 320 с.
- Избранные труды. Нанотехнологии. — М.: МАГИСТР-ПРЕСС, 2013. — 268 с.
